Dans les industries des semi-conducteurs et de l'énergie solaire, l'inspection de la qualité est essentielle pour garantir la fiabilité et les performances des produits finis. Les technologies avancées d'imagerie infrarouge, telles que le SWIR et la microscopie par émission de photons, jouent un rôle clé dans la détection des défauts et des impuretés dans des matériaux comme le silicium et les wafers semi-conducteurs. En identifiant les imperfections dès les premières étapes du processus de fabrication, ces techniques d'inspection optimisent le rendement des produits et réduisent les risques de défaillance, contribuant ainsi à une production efficace et de haute qualité.
Nos solutions d'imagerie avancées, utilisant les technologies UV, SWIR et LWIR, permettent une détection précoce des défauts pour garantir une qualité supérieure des plaquettes. En corrigeant les imperfections en amont, nous aidons à optimiser l'efficacité de la production, à réduire les coûts de reprise, à augmenter le rendement et à maximiser le débit, améliorant ainsi le retour sur investissement des équipements.
De l'UV au LWIR, nos capacités couvrant un large spectre de longueurs d'onde offrent la polyvalence nécessaire pour une inspection précise des semi-conducteurs.
- UV (Ultraviolet 190 à 400 nm) : Offre une précision inégalée pour détecter les défauts microscopiques de surface à l'échelle nanométrique.
- SWIR (Proche infrarouge 0,9 à 1,7 μm) : Exploite la transparence du silicium pour un alignement précis lors des étapes d'empilement, de collage et d'encapsulation.
- LWIR (Infrarouge thermique 8 à 12 μm) : Surveille les profils thermiques et garantit l'uniformité, permettant des ajustements en temps réel des processus et réduisant les temps d'arrêt.
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Contactez-nousInspection infrarouge des semi-conducteurs
L'inspection infrarouge des semi-conducteurs optimise les processus de fabrication en identifiant et localisant les défauts, garantissant une production de haute qualité à chaque étape : wafers, circuits et dispositifs encapsulés.
Microscopie par émission de photons : Cette technique avancée d'analyse de défaillance, utilisant des détecteurs SWIR InGaAs, détecte le rayonnement photonique des défauts causés par la recombinaison des porteurs. Elle permet une localisation précise et efficace des imperfections.
Inspection des lingots solaires : Les impuretés, vides et inclusions dans les briques et lingots de silicium peuvent entraîner des défaillances des composants. Les caméras SWIR InGaAs (Cheetah+, Wildcat+, Bobcat+, Manx, Lynx) détectent facilement ces défauts en utilisant des sources lumineuses émettant à des longueurs d'onde supérieures à 1150 nm. La transparence du silicium aux photons SWIR de longueurs d'onde permet aux contrôleurs d'examiner les lingots en profondeur.
Inspection thermique : Les caméras LWIR (série Ceres T) identifient les défauts thermiques et garantissent une répartition uniforme de la température durant la production des plaquettes, renforçant ainsi le contrôle qualité.
Nos caméras SWIR et LWIR offrent des outils efficaces et fiables pour la détection des défauts et l'optimisation des processus, garantissant une production de semi-conducteurs plus homogène et de meilleure qualité.
Caméras UV pour l'inspection des wafers
Les caméras UV sont des dispositifs remarquables pour l'inspection des wafers, offrant des capacités avancées pour les applications dans le domaine des semi-conducteurs. Nos caméras UV (iNocturn, i2Nocturn) fonctionnent dans la plage de 190 à 400 nm, capturant la lumière au-delà du spectre visible pour révéler des phénomènes invisibles à l'œil nu. Ces caméras intensifiées excellent dans la détection des défauts microscopiques et des résidus à travers diverses teintes, selon la source lumineuse, garantissant ainsi que les composants respectent les normes strictes de l'industrie.
Applications spécifiques des caméras UV en matière d'inspection des wafers :
- Inspection de la surface des wafers en fond noir
- Détection de défauts dans les masques et lors des inspections en ligne des wafers
- Analyse de l'épaisseur des couches grâce à la technique de l'ellipso métrie spectrale